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三星发布业界首个12层3D-TSV芯片封装工艺 可满足

三星发布成功开拓出界首个12层3D-TSV(纵贯硅通孔)技巧。这是业界首个将3D TSV封装推进到12层的工艺,而此前最大年夜仅为8层。

3D-TSV最多用在HBM显存上,这种技巧经由过程芯片内部的打孔添补金属导电材料实现多层芯片互联,其速率更快,密度更高。三星这次公布的12层DRAM封装工艺必要在720微米厚的芯片上打跨越60000个TSV孔,这些孔的尺寸仅为人头发丝的二十分之一。

比拟于8层HBM2,其芯片厚度相同,然则能够增添DRAM容量。厂商也无需调剂系统设置设置设备摆设摆设。三星相关认真人表示,跟着AI、高机能谋略等领域的高速成长,确保超高机能存储器所有繁杂性的封装技巧正在变得越来越紧张。而伴跟着摩尔定律达到极限,3D-TSV所扮演的角色将越来越关键。我们盼望站在这一最新芯片封装技巧的最前沿。

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